在2018國際顯示技術會議（ICDT 2018）上，臺灣地區廠商錼創 (Playnitride)展出Micro LED顯示器，共分白光、綠色以及全彩3種色彩顯示。
其中0.89’’顯示器應用于手表上，ppi約為169，并使用藍色LED芯片+Phosphor色彩化方案。另外還有0.8’’顯示器， ppi提高至230，搭配綠色LED芯片的單色方案。最后還展出全彩0.89’’顯示器，使用RGB LED的芯片組合，約103 ppi。錼創期望未來持續提升技術，以朝向Micro LED顯示器商業化的路邁進。
另對于背板驅動專精的廠商和蓮光電(Jasper Display)，展出以Silicon為背板的Micro LED顯示器，目前顯示技術已發展至0.7’’，顯示尺寸可達4K分辨率，雖為單色顯示但Pixel Size卻能達到3.74μm，具備高顯示效果。
和蓮光電
另對于背板驅動專精的廠商和蓮光電(Jasper Display)，展出以Silicon為背板的Micro LED顯示器，目前顯示技術已發展至0.7’’，顯示尺寸可達4K分辨率，雖為單色顯示但Pixel Size卻能達到3.74μm，具備高顯示效果。
Leti公司
Leti公司的Francois Templier提到，Micro LED應用在AR VR等穿戴使用的顯示器上，需滿足高分辨率與顯示面積小的高需求，因此LED芯片尺寸以及LED Pitch上將微縮。傳統Flip Chip Bumping極限約在15μm，若是在Wafer上，分別在GaN Array上制作Micro Tube，在與基板bonding時，Micro Tube將直接插入接觸所對應的連接Pad，無需如錫球Bonding時，LED間距需預留距離避免金屬溢流短路，因此Micro Tube的應用將縮短LED bonding pitch。目前Leti已將此技術應用在單色顯示器上，Pixel Pitch約10μm，分辨率873 x 500 Pixels。
三安光電
三安光電徐宸科副總指出Micro LED相較于其他顯示方式如LCD、LCOS、DLP、OLED，都有較高的評價，其中對比應用較廣的OLED顯示應用，Micro LED在亮度及信賴性上都更勝一籌外，又可以搭配軟性基板達成可彎曲的特性，因此三安光電看好Micro LED發展后勢且積極發展。
目前三安光電已可組成RGB全彩Micro LED顯示器，其中RGB芯片的外部量子效率(EQE)預估依序為18%、30%、60%，未來仍持續提升。另徐宸科副總提到三安光電也可依客戶的需求提供芯片轉移、Bonding等方案，并搭配水平或垂直式電極LED芯片等技術服務。其中水平式電極的Flip Chip的芯片尺寸約可達30~100μm，垂直式電極芯片約可達10~100μm。
劉紀美教授指出Micro LED未來隨著LED芯片越來越小，除了轉移上的技術外，在LED的芯片制造質量上也需要穩定與成熟，才能提高產能，降低生產成本。在電路設計上，將以穩定的集成電路設計為主，方能尋找到適合Micro LED驅動的方案。
目前劉紀美教授研發的Micro Display小可達0.19’’，1700 ppi，為單色顯示方案。LED微型化量子點的應用將不會缺席，因此劉教授的團隊也運用了量子點的技術達成全彩化，目前是采用噴墨印刷的方式將RGB 量子點均勻涂布于Micro Display上，顯示器約3.6mm(L) x 3.6mm(W)，分辨率約40 x 40 pixels。
上海大學的楊緒勇教授指出，QD應用在LED上的發展目前受限于價格以及壽命。而QD的材料價格不便宜，因此相關的應用易轉嫁到消費者身上，從而降低市場競爭力。此外，壽命約在100~1000小時不等，因此楊緒勇教授嘗試在QD加入了金屬氧化物薄膜，以增加QD的穩定性進而增加其壽命。改善后測試，壽命可達16000小時(@100 nits)，將有助于未來QD應用在LED上更邁進一步。